سامسونج تطلق ذاكرة V-NAND القادمة مع 290 طبقة هذا العام

قامت شركة سامسونج بالإعلان عن التحديث الأخير عن ذاكرة فلاش NAND، والتي ستعمل فيه الشركة على تحسين مستوى الصناعة والتي ستكون من الجيل العاشر إلى 430 طبقة مكدسة، وهو مستوى عالي جدا من التطوير.
وقامت الشركة بإعلان ذاكرة V-NAND من الجيل التاسع، إذ يأتي هذا النوع مع 290 طبقة مكدسة فوق بعضها بعضًا، مما يضع معيارًا جديدًا لرقاقات الذاكرة المستخدمة في أقراص التخزين SSD وذلك استفادا من الارتفاع الكبير الذي حدث في رأس مالها.
والجدير بالذكر أن هذا التطوير جعل مستوى الشركة يرتقي جدا خصوصا بعد الانخفاض الشديد والحالة الاقتصادية السيئة التي عانت منها الفترة الماضية وذلك بسبب ضبط مستويات المخزون وارتفاع طلب المستهلكين للذاكر، وذلك من بداية الشهر المقبل.
ففي هذه الفترة تفوقت شركة سامسونج على كل منافسيها ومنهم شركة Kioxia، و SK Hynix، وميكرون، و YMTC.
فعملية التكديس المزدوج (double stacking) يعد من المزايا العملية التي حدثت في إنتاج ذاكرة NAND من الجيل التاسع، التي تركز على تكديس المزيد من الطبقات في القنوات المتعددة للذاكرة. وتستخدم هذه التقنية الكهرباء لربط الخلايا الفردية معًا، وهي أرخص بكثير من طرق التكديس التقليدية.
وتسعى الشركات الصانعة جاهدة إلى تحقيق هدفها الطموح وهو تطوير ذاكرة 3D NAND مع 1000 طبقة مكدسة بحلول عام 2030.

اقرأ المزيد من صحيفة هتون الدولية